一、設計歷史背景

       測式光電器件器件原料的霍爾現象是定量進行分析和進行分析光電器件器件原料的為重要技術。咱們還能能只能不同霍爾指數公式的特殊符號來評斷光電器件器件原料的導電型，是N型也是P型；霍爾現象從底層邏輯上講是鍛煉的通電阿爾法再生顆粒在磁體中受洛侖茲之作用而引發的的偏轉。當通電阿爾法再生顆粒（微電子或空穴）被約束力在無水硫酸銅原料中，一些偏轉就會造成在平分線于電流量和磁體的方往右會產生極性電勢的聚積，故而產生擴展的橫向電場強度。只能不同霍爾指數公式非常與攝氏度的干系還能能統計載流子的氧化還原電位值，同時載流子氧化還原電位值同攝氏度的干系，所以還能能設定原料的禁帶寬的配置度和鈣鎂離子電離能；是需要霍爾指數公式和熱敏電阻率的聯合技術校正是需要設定載流子的挪動率，用微分霍爾現象法可測橫縱載流子氧化還原電位值遍布；校正低溫制冷的效果霍爾現象還能能設定鈣鎂離子補償的度。

       與相關公測英文不相同的是霍爾數據公測英文中公測英文點多、連到比較繁瑣，算起出來量大，需再加水溫和磁體環境等優點，在這樣的情況下，一鍵公測英文可不很有可能順利完成的。霍爾滯后效果公測英文操作整體可以進行兩千多到至幾W點的多數據自動的轉換在線測量，操作整體由Precise S全系列源表，2700 分塊矩陣打開和霍爾滯后效果公測英文圖片軟件 Cyclestar 等組成了。可在不相同的磁體、水溫和功率下按照公測英文最終算起出來出功率電阻率、霍爾公式、載流子濃度值和霍爾遷徙率，并繪出斜率圖。

二、預案的特點

       1、原則系統軟件可進行在各種不同的電磁場和各種不同的直流電條件下的霍爾反應和電容的測定；

       2、公測和換算的過程由系統軟件手動施行，才可以提示 數據資料和直線；

       3、挑選變溫選件，能夠去差異高溫前提條件下的霍爾不確定性和阻值的自動測量；

       4、電阻器自動測量區間：0.1mW—50MW。

三、測試原料

       1、半導原料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體原料等；

       2、高特性阻抗村料：半隔熱的 GaAs, GaN, CdTe 等；

       3、低阻抗匹配相關建材：金屬材質、透明體陽極氮化合物、弱剩磁半導體技術相關建材、TMR 相關建材等。

四、程序基本原理

       霍爾相應測式系統軟件一般是對霍爾元件的 I-V 測試，再表明另外相應參數表來計算公式出相當于的值。

       阻值率：范德堡法在線測定阻值率要緊扣試樣做 8 次在線測定。 參比參比金屬電級片片 1、2 加功率值參比參比金屬電級片片 4、3 測線交流電壓降降，和參比參比金屬電級片片 2、3 加功率值參比參比金屬電級片片 1、4 測線交流電壓降降，能夠的阻值率稱它作 ρA；接過來來參比參比金屬電級片片 3、4 加功率值參比參比金屬電級片片 2、1 測線交流電壓降降，和參比參比金屬電級片片 4、1 加功率值參比參比金屬電級片片 3、2 測線交流電壓降降，能夠的阻值率稱它作 ρB。如果你試樣一致， ρA 和 ρB 對比相近，求想一想的總值值 即能能夠試樣的阻值率 ρav =( ρA + ρB ) / 2。

 五、軟件結構的

六、軟件系統硬件配置

       源表：2臺雙短信通道SMU；

       連入線：237-ALG-2，Triax轉大鱷魚夾連入線。

七、系統詳細介紹

       1、可開展霍爾現象、I-V 性能特點、R-T 性能特點和 R-M 性能特點的衡量；

       2、必須得要出運作： 方塊功率電阻器、 功率電阻器率、 霍爾標準值、 霍爾移動率、 載流子溶液濃度和導電類行；

       3、 R-T 優點—固定住磁場強度，電容隨水溫而變化無常的優點直線；

       4、R-M 功能—比較固定溫，電容隨磁體而變換的功能直線；

       5、等值線畫出系統：I-V 基本基本特性—在有差異 磁感線和有差異 溫度必要條件下的 I-V 基本基本特性等值線；

       6、R-T 特質—緊固電場，電阻值隨環境溫度而變換的特質的身材曲線；

       7、R-M 屬性—固定不動熱度，功率電阻隨磁感線而變換的屬性曲線擬合。