發生變化III-V族新技術半導體材料設備板材的迅猛不斷發展與創新發展采用，對于氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和任何有些類化合物半導體材料設備的特點表現，怎么樣像交流電額定電壓測量那，愉快變現超快的I-V源和測量操作實用？怎么樣按照實用窄單脈寬和/或低占空比單脈寬，而而不是交流電額定電壓手機信號來制止電子元器件的自熱反應？怎么樣實現既要超快額定電壓導出，又要搜集高迅敏度交流電測量的采用意愿？
普賽斯汽車儀表盤在即發布的ns級半導體設備快速器材I-V測式改善方式說出的結論是：幾乎做到！
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