前言

        2020年，歐洲光電電子元器件技藝行業財產終止反復高延長，來到調控時間間隔。與此型成比較，在新綠色能源汽年、太陽能光伏、儲蓄能量等消費需求牽動下，再次代光電電子元器件技藝行業財產做到高速度趨勢，歐洲化產生鏈標準基礎建設也正在型成，寡頭壟斷空間布局越來越大創立，財產踏入高速 成材期。而中國國內再次代光電電子元器件技藝行業財產路過之前生產銷量力推廣和產線基礎建設，國內選擇研發再次代光電電子元器件技藝行業服務紛紛搭建成功率并采用核驗，技藝奮力的升級，生產銷量力不息放，國內選擇研發氧化硅(SiC）電子元器件及組件日趨“上機”，生態資源標準基礎建設日趨改進，選擇可控性程度不息增強，全局寡頭壟斷國力日趨的升級。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022第二點代半導材料行業房產進步發展報告》凸顯，22年目前世界各國第二點代半導材料行業馬力自動化元器件和徽波頻射一個方面滿足總增加值141.7億人民幣，較明年增速11.7%，擴產不斷地移除。但另外，SiC擴產增速翻兩番，GaN擴產增速超30%，劃分融資擴產年度計劃較明年環比提高增速36.7%。同時，根據電動四輪轎車市面 短時間增速，光伏發電、全釩液流電池使用需求提升，22年目前世界各國第二點代半導材料行業馬力自動化元器件和徽波頻射市面 總的規模做到194.1億人民幣，較明年增速34.5%。但另外，馬力半導材料行業市面 可超過105.5000萬人民幣，徽波頻射市面 約88.1億人民幣。

        平均，2024年將是最后代半導異軍突起的大半年，貿易市場將尋找的“高技術飛速取得進步、房產飛速延長、新格局大大轉變”的“東漢時代英文”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        再者，再者代寬禁帶半導體材料技術食材的探究也力促著LED照明電器電器加工業的不間斷發展，從Mini-LED到Micro-LED，不斷后果半導體材料技術照明電器電器加工業，有時在大工作效率智能機械器、UV紫外線消毒/觀測鄰域發揮使用至關重要要的使用。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        日前，瓦數光電電子元件元件茶葉市場出顯出集成式化和傳感器化、高功能和高安全穩定可信度、多電平技木、新興元件框架和方法、智力化和可相空間等快速發展壯大快速發展和快速發展壯大大方向。瓦數光電電子元件元件成為運用于嚴格環鏡下的高瓦數容重元件，對元件安全穩定可信度讓置于大多數光電電子元件元件的前某。由于，對元件精準度的功能測評讓、不符合操作環境的安全穩定可信度測評生活條件各種較準的出現異常分折方式英文將管用的加強瓦數光電電子元件元件品牌的功能及安全穩定可信度行為。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 規模廣，高至300V低至1pA- 比較小激光脈沖大小200μs- 精確性度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺非常大3500V輸出電壓功率輸出電壓(可延伸10kV)- 檢測工作電流低至1nA- 明確度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 輸出的電壓達1000A- 多個串聯能達到6000A- 50μs-500μs的輸入脈沖高寬比調節器- 輸入脈沖邊沿陡(先進典型時期15us)- 兩路口搜集預估電流(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 直流電源/脈沖激光四種電阻輸出精度方式- 大激光脈沖瞬時電流，非常高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式規劃，1CH/插卡，是最高的支持系統10入口通道

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*有些圖像原因：政府信息相關資料處理

*地方材料來源于：中國現代國家經濟時報《中國國家第四代半導體芯片領域總體設計進到增長期》郭錦輝

如果發現熱議，請找話題刪除！