盛夏已過，初秋開場

九月的高溫度仍舊長期不散生話也免不好被混亂的運作獻祭

高壓電大馬力(6500V/3000A)IGBT測式難？伴近年來內容業務需求急、的任務重、想要高工程建筑師們壓力值山大...

不如先Fun松Fun松~

Step  1

分享用戶圈配字“有獎互動交流”，配置一切人內見，長截圖存有；

Step  2

掃描軟件左下方二維碼圖片，傳到微信截屏、填報現象結果并上傳。

參與互動并答對4題以上即可獲得精彩春節禮品每份（僅供前20名）！未獲獎的朋友也可免費獲得《IGBT功率器件靜態參數測試白皮書》一份(電子版)，并提供技木教授一前一后一聯系解釋！

搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

在SiC與Si基本特征的不同的，SiC MOSFET的閥值端電流降還具有忽高忽低定義，在功率器件檢查儀環節中閥值端電流降會出現很大漂移，促使其電的性能檢查儀以其高溫作業柵偏耐壓后的電檢查儀數據難治依賴性于檢查儀情況。這樣閥值端電流降的準確性檢查儀，暫行靠得住性檢查儀方式方法有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電容 RDSon為決定電子元器件工作的時導通耗損率的一首要表現形式運作，其平均值會隨 VGS 、T的變現而優化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護就能將電阻值甚至電流值控制在SOA空間，以防電子元件損毀或炸管。

公測前提條件：800V 恒壓 10μA 限流

測驗具體條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）額定電壓在線檢測線路將增長導通額定電壓測試準確度；? SOCKET與PIN排斥功率熱敏電阻、檢測引線導通功率熱敏電阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流量波形參數諧振；? 輸電線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 一般的同軸電線電纜的等效電容（電容器）與DUT串并聯，SMU各種測試時逐漸、平衡時候長；? 三同軸電線等效電感可以說為0。

參與互動獲得精美禮品

體驗問答充分會有精彩禮品圖片第二份，還可免有《IGBT瓦數器材動態產品參數測試圖片發展報告》第二份(電子版)，并帶來了技術應用專家教授一雙一咨詢中心講解！