前言

        伴隨著世界各國科持層次的不斷提高和有效研發的更加深入，有效專用機 形成不同的的國家和的地區科研開發學校、高職高專院校和廠家的主必不行少的專用工具。收益于世界各國然后代半導體芯片加工業跑馬圈地扭轉生產能力，考試方法英文專用機 層面殆的意思坐享需要量分紅，持繼走紅。近三載以來，我國國上下不低于廠家的主舞蹈動作不停，核心方式的考試方法英文專用機 不能被個別廠家的主領域壟斷，領域世界各國化階段很深快速，我國銷售市場考試方法英文專用機 的傳統化率也在計劃經濟體制升級。

        強調然后代半導的測式英文英文需求概述，廣州普賽斯自主創新發行SiC/IGBT/GaN工作公率元件外部叁數測式英文英文滿足方法，為SiC和GaN元件展示 靠得住的測式英文英文的方式，達成工作公率半導元件外部叁數的高gps精度、高效性率測量方法和概述，物品已被我們國家外幾家著名半導公司企業查驗和應用軟件。

國產測試設備出海機遇海外市場發展空間廣闊

        第三個代半導技術屬于以SiC、GaN為意味著的半導技術文件，與前隔代半導技術文件相比較其優越性是極具較寬的禁帶寬起步度，更滿足于加工制作溫度過高、中頻、抗反射及大工率的智能工作電壓元器件封裝，由此在5G信號塔、新能源電動車資源、光伏系統、風電設備、髙鐵等業務領域擁有豐富的運用。Yole預測，中國SiC工率半導技術市面 將從2023年的15000萬歐元成長至20210年的65000萬歐元，年黏結年成長率(CAGR)將超34%，GaN工率工作電壓元器件封裝市面 將從2023年的1.215億歐元成長到20210年的20億歐元，年黏結年成長率(CAGR)可高達的59%。

資源由來:Yole Development

        近兩載以來，先進典型半導制作業專用機械保留國會相繼升級成出口貿易管控最新政策文件，從考試圖片專用機械的需要方向方面看，國家貿易市場的國內生產的充當需要強列，最新政策文件要素也給予了極高切實做好，被表示是國家在半導域“換道超車”的為重要可能。跟著國內生產的考試圖片專用機械特性和增強性的不斷提升，在市場價和服務的優勢可言的撬動下，海外網站需要也慢慢的漲幅，應用軟件地方大量。

        近日來，佛山普賽斯IGBT靜態數據數據性能指標測驗模式銷往萌寶，并已順利完成新項目初驗，圖標著自己研究開發的全日本產化IGBT靜態數據數據性能指標測驗機械正試進行國際金貿易市場。

IGBT靜態參數測試的難點與挑戰

        任何器件的制造與應用都需以測試手段作為保障，IGBT功率器件的參數測試不僅是功率器件投入商業化應用的重要環節，也是研究器件性能的重要手段。根據測試條件不同，功率器件被測參數可分為兩大類：靜態參數和動態參數。靜態參數是指器件本身固有的，與工作條件無關的相關參數，如集射極擊穿電阻值電阻值V(BR)CES、呈現飽和狀態集射極電流量ICES、柵射極閥值電阻值VGE(th)、進入電阻 Cies、選擇性傳遞電阻Cres、輸送電阻Coes等。

         常有的IGBT靜態變量技術參數各種衡量各種衡量主專用儀器均原于于國際英文項目，這樣主專用儀器的各種衡量各種衡量瞬時電流大小電壓會達3000V不低于，瞬時電流大小會達1200A不低于。而我們工業企業在壓力（>3000V）和高瞬時電流大小（>1000A）IGBT方案各種衡量各種衡量角度與進口的商主專用儀器相信對比很大的，且非常有著各種衡量各種衡量定位精度還不夠高、衡量范圍圖受限的問題。這對于某些鐵軌客運用的壓力大效率的IGBT單管、半橋方案，各種衡量各種衡量能力可以以達到6500V/3000A，不怕是進口的商主專用儀器亦或是國產a主專用儀器都不易以達到各種衡量各種衡量需求。

圖:Si/SiC/GaN的市場上使用布置

高電壓、大電流：普賽斯IGBT靜態參數測試解決方案

        為預防各業各業對IGBT的檢查圖片意愿，南京普賽斯雙向的規劃、精益求精建設新一款精密儀器電阻-交流電的IGBT靜態數據變量主要基本參數檢查圖片控制設備，可具備IV、CV、跨導等充裕性能的綜合評估檢查圖片，具備著高控制精度、寬量測條件、功能化的規劃、解乏提供延伸等競爭優勢，目的多方面擁有從前提工作生產率整流二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體元器SiC、GaN等晶圓、結合ic、元器及功能的靜態數據變量主要基本參數分析方法和檢查圖片意愿。控制設備分為功能化結合的的規劃成分，為觀眾隨后比較靈活“添加或提供量測功能具備了巨大更加快捷和最佳價廉物美，提供檢查圖片生產率和產線UPH。         IGBT冗余基本參數自測體統兼容溝通互動式全自動動用或通過電極臺的自動動用，并能在從在線測量快速設置和下達到可是研究和大數據采集系統的另一研究方法時中保證高效率的和可多次重復的元件研究方法。也可與高常溫箱、控溫功能模塊等融洽動用，要求高常溫自測需求分析。

        IGBT靜態參數測試系統主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V(可延伸至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz，可靈活選配。

系統優勢/Feature

1、IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯油田包塊實現的時光段值為5ms，在測評方式中并能縮減待測物加電時光段的產生熱量。

2、直流高壓下漏電流的檢查圖片的能力比較好，檢查圖片占有率率具有國際級牌子。市面上絕大多數器件的規格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊測試幾乎可以完全應對所有類型器件的漏電流測試需求。

3、前者，VCE(sat)測試軟件是研究方法 IGBT 導通技能消耗的具體基本參數，對旋鈕技能消耗都是肯定的決定。需用選擇強度窄電磁電流大小源，電磁升高沿強度要足夠快時技能縮小元件發熱的原因，與此同時裝備需用有數據同步抽樣電流電壓技能。

IGBT靜態數據試驗模式大直流電壓大小控制模塊：50us—500us 的可調節直流電壓大小脈寬，提升邊沿在 15us(常見值)，提高待測物在試驗方式中的發熱的原因，使試驗的結果十分更準確。下圖為 1000A 波形：

4、快捷協調性的客制化工裝夾具解決方案設計：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產品的測試。

結束語

        IGBT空態參數設置檢驗程序看做高轉型升級自動化產品的的，一直以來在知名貿易市場上只被半數的企業掌握了。亞洲半導體行業的機械企業的不斷發展甚至品質可靠半導體行業的機械生產制造的機械存有國外貿出口管控的升極，對國產貨的機械制造廠講既試煉也是機遇與挑戰。未來的發展，北京普賽斯將足夠發揮出來內在的系統和轉型升級特色，持續不斷推動高轉型升級自動化產品的的立式應運，真實能做到以系統造就太多顏值。